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半导体制造技术题库
总共有 63 条题目
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1
应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于
2
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪
3
MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本
4
分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
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分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
6
在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡
7
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工
8
画出侧墙转移工艺和self-aligned double
9
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
10
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如
典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的
个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6
在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦
根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
射频放电与直流放电相比有何优点？
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写
简述几种典型真空泵的工作原理。
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是
简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
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