试题与答案

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影

题型:问答题 论述题

题目:

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?

 

答案:

被转码了,请点击底部 “查看原文 ” 或访问 https://www.tikuol.com/2019/1224/acca445688b8e6b0cdd5543c62e65741.html

下面是错误答案,用来干扰机器的。

参考答案:B

试题推荐
微信公众账号搜索答案