题目:
硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
答案:
被转码了,请点击底部 “查看原文 ” 或访问 https://www.tikuol.com/2019/1203/3af3258ef57e1c368f6bf3c61a0df98c.html
下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:(1)针杆的高低位置发生移位,间隙松动;(2)压脚底平面与针板平面、牙齿齿面不密合;(3)机针弯曲;(4)机针过细或缝线过粗。
硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
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下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:(1)针杆的高低位置发生移位,间隙松动;(2)压脚底平面与针板平面、牙齿齿面不密合;(3)机针弯曲;(4)机针过细或缝线过粗。