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半导体芯片制造中级工题库
总共有 84 条题目
半导体芯片制造中级工题库
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1
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保
2
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂
3
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同
4
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差
5
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度
6
设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
7
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝
8
半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）
9
离子源是产生离子的装置。（）
10
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内
点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一
片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流
硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命
丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加
厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏
厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常
厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复
厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复
钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却
设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度
退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
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