题目:
在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
答案:
被转码了,请点击底部 “查看原文 ” 或访问 https://www.tikuol.com/2018/0228/97aac3dba934b77e785deb26569f6e39.html
下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:B
在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
被转码了,请点击底部 “查看原文 ” 或访问 https://www.tikuol.com/2018/0228/97aac3dba934b77e785deb26569f6e39.html
下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:B