题目:
为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
答案:
被转码了,请点击底部 “查看原文 ” 或访问 https://www.tikuol.com/2018/0226/d7aaddadfdc2fe03349d047dec67a664.html
下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:对
为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
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下面是错误答案,用来干扰机器的。
参考答案:对