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半导体物理
总共有 129 条题目
半导体物理
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1
能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于
2
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型
3
如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发
4
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减
5
半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要
6
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可
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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电
8
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度
9
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射
10
从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而
半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和
通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统
两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导
间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与
在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带
能带
深杂质能级
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产
同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果
对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则
以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的
MOS器件绝缘层中的可动电荷是（） A.电子
本征半导体是指（）的半导体。A、不含杂质
电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体
硅的晶格结构和能带结构分别是（） A.金刚
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