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1
下列是晶体的是（）。 A.玻璃 B.硅
2
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是
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对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿
4
在通常情况下，GaN呈（）型结构。 A.纤锌
5
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁
8
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导
9
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面
10
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利
载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产
把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料
下列哪个不是单晶常用的晶向（） A.（100
PN结的基本特性是（） A.单向导电性 B.半
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的
在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动
硅片抛光在原理上不可分为（） A.机械抛光
可用作硅片的研磨材料是（） A.AL2O3 B
热处理中氧沉淀的形态不包括（） A.球状沉
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（） A.加
悬浮区熔的优点不包括（） A.不需要坩埚
铸造多晶硅中氢的主要作用包括（） A.钝化
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（） A.头
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包
改良西门子法的显著特点不包括（） A.高能
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