试题与答案

Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代

题型:填空题

题目:

Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:

(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          

(2)下列说法正确的是            (选填序号)。

A.砷和镓都属于p区元素   B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C.电负性:As>Ga                  D.第一电离能Ga>As

(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是  (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为        

Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:

(1)晶体中Ca2+的配位数为             

(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,

该晶体的密度为         g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)

答案:

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参考答案:错解析: 《UCP600》规定,信用证在修改时,对同一修改通知中的内容,当事人只能全部接受或全部拒绝,不允许部分接受。

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